电子镇流器原理与制作

dingdong

作者：毛兴武，祝大卫 编著
出版社：人民邮电出版社
出版时间：1999-5-1
版次：1
页数：485
格式：PDF扫描版，无封面、版权页。

   内容提要
   本书比较系统地介绍了荧光灯交流电子镇流器的组成、原理、设计、组装调试及检修。
书中具体地介绍了电子镇流器的输入电路、功率因数校正电路、典型逆变器电路、灯阴极预热启动电路和异常状态保护电路
及其主要元件的选择；并结合实践，对电源输入电流谐波、线路功率因数及其相互关系进行了较深入的分析和讨论；详细介
绍了电磁干扰(EMI)抑制技术、无源及有源功率因数校正技术、镇流器控制器IC及作为开关使用的新型半导体器件，同时对
高强度放电(HID)灯电子镇流器及霓虹灯电子变压器也做了介绍。
本书所涉及的内容比较广泛，且有一定的深度，具有系统性、实用性、指导性和资料性。本书深入浅出，通俗易懂，适合于
电子行业和电光源行业从事电子镇流器开发与生产的工程技术人员及电子技术爱好者阅读，亦可作为大中专院校师生的参考
书。
目录
第一章 电子镇流器的概述 1
第一节 荧光灯交流电子镇流器的产生 1
第二节 交流电子镇流器的组成及其优点 2
一、交流电子镇流器的组成 2
二、交流电子镇流器的优点 4
第三节 电子镇流器的发展 6
第四节 荧光灯用电子镇流器标准及其型号命名方法 8
一、荧光灯交流电子镇流器标准 8
二、荧光灯电子镇流器型号命名方法 10
第五节 电子镇流器常用术语 10
第二章 荧光灯的特性及其对电子镇流器的基本要求 15
第一节 荧光灯的构造及其特性 15
一、荧光灯的结构组成及其型号命名方法 15
二、荧光灯的主要特性 18
第二节 荧光灯工作原理及其主要参数 20
一、荧光灯工作原理 20
二、荧光灯主要参数 21
第三节 荧光灯对电子镇流器的基本要求 27
第三章 输入与整流滤波电路 29
第一节 电磁干扰(EMI)滤波器 29
第二节 输入保护元件 33
一、NTC热敏电阻 33
二、输入瞬变电压保护元件 36
第三节 整流滤波电路 38
一、桥式整流电容滤波电路 38
二、倍压整流滤波电路 40
第四章 电子镇流器逆变器电路的基本类型 42
第一节 回扫式逆变器电路 42
第二节 推挽式逆变器电路 46
一、电压馈电推挽式逆变器电路 47
二、电流馈电推挽式逆变器电路 48
第三节 半桥式逆变器电路 50
一、电压馈电半桥式逆变器电路 51
二、电流馈电半桥式逆变器电路 59
第四节 自振荡IC驱动的半桥式逆变器电路 62
一、由NE555时基电路组成的它激式半桥逆变器电路 63
二、由自振荡IC直接驱动的MOSFET半桥逆变器电路 64
第五节 全桥式逆变器电路 74
第五章 逆变器中功率开关晶体管 77
第一节 双极型晶体管的开关特性 77
一、晶体管的三个工作区域 78
二、晶体管的开关时间 79
三、外电路对晶体管开关速度的影响 81
四、在开关运用时晶体管的功耗 82
第二节 双极型开关晶体管的基极驱动电路 83
一、典型的基极驱动电路 83
二、几种常见的加速电路 85
三、双极型开关晶体管的抗饱和电路 86
第三节 双极型晶体管的二次击穿和安全工作区 89
一、二次击穿现象 89
二、晶体管安全工作区 90
第四节 开关晶体管的保护 93
第五节 功率开关MOSFET 96
一、MOSFET的主要特点 96
二、功率MOSFET的驱动电路 98
三、功率MOSFET的保护电路 100
第六节 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 102
一、IGBT的主要特征 102
二、在电子镇流器中作为开关使用的IGBT 103
第七节 联栅晶体管(GAT) 108
一、GAT的内部结构及其主要特点 108
二、电子镇流器用GAT代表性产品2SG系列 110
第八节 双极模式静电感应晶体管(BSIT) 113
第六章 电子镇流器的电流谐波与线路功率因数 117
第一节 电子镇流器的输入电流谐波 118
第九章 荧光灯的启动及其预热启动电路 228
第一节 荧光灯启动的技术要求 228
一、荧光灯的启动方式 228
二、荧光灯启动的技术要求 230
第二节 荧光灯阴极预热启动电路 232
一、PTC热敏电阻组成的预热启动电路 233
二、利用频率调制(FM)技术实现预热启动 240
第十章 电子镇流器的保护电路 245
第一节 电子镇流器的异常状态 245
第二节 异常状态保护电路 247
一、峰值检测型保护电路 247
二、幅值与相位检测式异常状态保护电路 250
第三节 限流保护 252
一、浪涌电流抑制 252
二、过电流保护电路 254
第四节 过电压保护(OVP) 257
第五节 过热保护 259
第十一章 高强度放电(HID)灯电子镇流器 163
第一节 高强度放电(HID)类 263
一、HID灯的结构及其特点 263
二、HID灯的启动特性 266
第二节 HID灯对电子镇流器的要求 268
第三节 HID灯电子镇流器 269
一、HID灯电子镇流器的组成 269
二、高频变换器电路 270
三、保护电路 273
四、声共振的抑制 274
五、启动电路 277
六、HID灯控制器UCC3305简介 280
七、70W高压钠(HPS)灯电子镇流器实际电路 283
第十二章 霓虹灯电子变压器 287
第一节 霓虹灯及其对电子变压器的要求 287
一、霓虹灯的结构及其工作原理 287
二、霓虹灯漏磁式变压器 289
三、霓虹灯电子变压器 290
四、霓虹灯的控制装置 292
第二节 霓虹灯电子变压器电路 294
一、自激式霓虹灯电子变压器电路 294
二、它激式霓虹灯电子变压器电路 299
三、制作工艺要求 301
第十三章 电子镇流器控制器IC及其应用电路 303
第一节 TFA3351电子镇流器控制器 304
第二节 ATT2161/ATT2162电子镇流器控制器 308
一、ATT2161低端镇流器控制器 309
二、ATT2161高端镇流器控制器 311
三、ATT2161与ATT2162组成的电子镇流器电路 313
第三节 KA7522/KA7522D电子镇流器控制器 315
一、KA7522/KA7522D内部结构及其引脚功能 315
二、KA7522/KA7522D的主要电气参数及其特点 316
三、 用KA7522D作为控制器的32W双管荧光灯电子镇流器电路 318
第四节 TDA4814/TD4816G电子镇流器控制器 322
第五节 L6574电子镇流器控制器 328
一、L6574的内部结构及其特征 328
二、L6574的典型应用电路 333
第六节 NE5565电子镇流器控制器 336
一、NE5565的内部结构及其主要特征 336
二、NE5565的功能及其工作原理 339
第七节 ML4830电子镇流器控制器 344
一、ML4830的封装型式、内部结构及其引脚功能 344
二、ML4830的主要特征 347
三、ML4830镇流器控制器的典型应用 351
第八节 KA7531/KA7531D电子镇流控制器 354
第九节 利用其他用途的IC作为电子镇流器控制器 361
一、TDA4918开关电源IC控制和驱动的36V/400W卤钨灯电路 361
二、用压控振荡器设计可调光电子镇流器 366
第十四章 电子镇流器设计实例 370
第一节 普通荧光灯电子镇流器的设计 370
一、主要技术要求和电路选择 370
二、设计程序和方法 372
第二节 断续传导模式不定频率APFC升压式预调整器的设计 384
一、升压电感器的设计 386
二、乘法器及电流传感比较器外接元件的选取 390
三、误差放大器外接元件的选择 391
四、电源电路及电感电流检测元件的选取 392
五、半导体器件的选择 395
六、输入与输出电容器的选择 395
第三节 固定开通时间ZCS升压式APFC预调整器的设计 397
一、升压电感设计 399
二、电流传感电阻的选取 406
三、启动电路元件的选取 406
四、编程开通时间元件的选取 407
五、误差放大器元件的选择 408
六、输入和输出电容器的选择 408
第四节 APFC预调整器升压电感器设计实例 410
第五节 电子镇流器用磁性元件的选择考虑 423
一、磁性元件的主要特性 425
二、磁性元件的选择考虑 430
第六节 电子镇流器用功率开关晶体管的选用指南 435
一、双极型功率开关晶体管的选用 436
二、功率开关MOSFET的选用 442
第七节 电子镇流器用电容器的选择 444
一、铝电解电容器的选择 445
二、灯启动用电容器的选择 448
三、EMI滤波用电容器的选择 449
第八节 电子镇流器印制板线路的设计考虑 449
第十五章 电子镇流器的组装与调试 455
第一节 元器件的检验与筛选 455
一、元器件的检验 455
二、元器件的老化筛选 457
三、小批量装机试用，进行认定试验 458
第二节 电子元器件的焊接 459
第三节 电子镇流器的调试 461
第四节 电子镇流器的安装 468
第五节 电子镇流器主要参数及其测量仪器 471
一、电子镇流器的主要参数及其技术要求 471
二、电子镇流器参数测量仪器 473
第十六章 电子镇流器的检修 475
第一节 电子镇流器检修基本方法 476
一、外观检查法 476
二、万用表测量法 477
三、替代法 479
第二节 电子镇流器检修实例 480

[ 本帖最后由 dingdong 于 2008-6-21 09:40 编辑 ]

cenjiahua001

难得的好资料啊,很齐全,谢谢楼主啦

dingdong

节能灯和电子整流器三极管参数的选择指南
作者：太原电气网  来源：www.tyec.com.cn  发布时间：2007-4-17 23:34:41


来源：中国电子市场网

完整的功率容限曲线

降低三极管的发热损耗

放大倍数hFE和贮存时间ts

功率容限(SOA)是一个曲线包围的区域(图1)，当加在三极管上的电压、电流坐标值超过曲线范围时，三极管将发生功率击穿而损坏。在实际应用中，某些开关电源线路负载为感性，三极管关断后，电感负载产生的自感电势反峰电压加在三极管的CE极之间，三极管必须有足够的SOA、BVceo和BVcbo值才能承受这样的反压。

必须注意：目前一般三极管使用厂家不具备测试SOA的条件，即使是有条件的半导体三极管生产厂家，具备测试该指标的能力，但是仪器测试出的往往只是安全工作区边界点上的数值，而不是SOA曲线的全部。这样就有可能出现：在一点上SOA值完全一样的两对三极管，实际线路上使用过程中，一对三极管损坏了，而另外一对却没有损坏。

因此，在选择灯用三极管的过程中，一定要找到器件生产厂家提供的完整SOA曲线。

降低三极管的发热损耗

目前，节能灯、电子镇流器普遍采用上下管轮流导通工作的线路，电感负载产生的自感电势反峰电压经由导通管泄放，所以普遍感到三极管常温下SOA值在节能灯、电子镇流器线路中不十分敏感。而降低三极管的发热损耗却引起了业界的普遍关注，这是因为三极管的二次击穿容限是随着温度的升高而降低的(图2)。

三极管在电路中工作一段时间以后，线路元器件会发热(包括管子本身的发热)，温度不断上升导致三极管hFE增大，开关性能变差，二次击穿特性下降。反过来，进一步促使管子发热量增大，这样的恶性循环最终导致三极管击穿烧毁。因此，降低三极管本身的发热损耗是提高三极管使用可靠性的重要措施。

实验表明：晶体管截止状态的功耗很小；导通状态的耗散占一定比例，但变化余地不大。晶体管耗散主要发生在由饱和向截止和由截止向饱和的过渡时期，而且与线路参数的选择及三极管的上升时间tr、下降时间tf有很大关系。

最近几年，业界推出的节能灯和电子镇流器专用三极管都充分注意到降低产品的开关损耗，例如，国产BUL6800系列产品在优化MJE13000系列产品的基础上，大幅提高了产品的开关损耗性能。

此外，控制磁环参数也有利于控制损耗。因为磁环参数的变化会引起三极管Ib的变化，影响三极管上升和下降时间。三极管过驱动可以造成三极管严重发热烧毁，而三极管驱动不足，则可能造成三极管冷态启动时瞬时击穿损坏。

放大倍数hFE和贮存时间ts

三极管的hFE参数与贮存时间ts相关，一般hFE大的三极管ts也较大，过去人们对ts的认识以及ts的测量仪器均较为欠缺，人们更依赖hFE参数来选择三极管。

在开关状态下，hFE的选择通常有以下认识：第一、hFE应尽可能高，以便用最少的基极电流得到最大的工作电流，同时给出尽可能低的饱和电压，这样就可以同时在输出和驱动电路中降低损耗。

但是，如果考虑到开关速度和电流容限，则hFE的最大值就受到限制；第二、中国的厂家曾经倾向于选用hFE较小的器件，例如hFE为10到15，甚至8到10的三极管就一度很受欢迎(后来，由于基极回路流行采用电容触发线路，hFE的数值有所上升)，hFE的数值小则饱和深度小，从而有利于降低晶体管的发热。

实际上，晶体管的饱和深度受到Ib、hFE两个因素的影响，因而通过磁环及绕组参数、基极电阻Rb的调整，也可以降低饱和深度。

目前，业界推出的节能灯和电子镇流器专用三极管都十分注重对贮存时间的控制。因为贮存时间ts过长，电路的振荡频率将下降，整机的工作电流增大易导致三极管的损坏。虽然可以调整扼流圈电感及其他元器件参数来控制整机功率，但ts的离散性，将使产品的一致性差，可靠性下降。例如，在石英灯电子变压器线路中，贮存时间太大的晶体管可能引起电路在低于输出变压器工作极限的频率振荡，从而造成每个周期的末端磁芯饱和，这使得晶体管Ic在每个周期出现尖峰，最后导致器件过热损坏(图3)。

如果同一线路上的两个三极管贮存时间相差太大，整机工作电流的上下半波将严重不对称，负担重的那只三极管将容易损坏，线路也将产生更多的谐波和电磁干扰。

实际使用表明，严格控制贮存时间ts并恰当调整整机电路，就可以降低对hFE参数的依赖程度。还值得一提的是，在芯片面积一定的情况下，三极管特性、电流特性与耐压参数是矛盾的，中国市场曾经用BUT11A来做220V40W电子镇流器，其出发点是BVceo、BVcbo数值高，但是目前绝大部分电子镇流器线路中，已经没有必要过高选择三极管的电压参数。

yhaigo

正是我需要的,谢谢楼主的大公无私.